Biegsamer Memristor-Speicher Diskussion

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An der koreanischen Universität KAIST(Korea Advanced Institute of Science and Technology) wurde der erste, biegsame nicht-flüchtige Speicher entwickelt. Eine Speicherzelle beinhaltet neben dem klassischen Transistor auch eine Entwicklung aus dem Hause HP aus dem Jahr 2008: ein viertes passives Schaltungselement* genannt Memristor (1T-1M). Zu den Besonderheiten der Memristoren gehört, dass diese ihren Widerstand in Abhängigkeit von der Ladungsmenge beim Speichervorgang verändern.

Bei den bisherigen resistiven Speichern (kurz genannt ReRAM) mit Memristoren gab es das Problem, dass der Strom in einigen Fällen statt durch den gewünschten Memrister mit hohen Widerstand, durch einen benachbarten mit niedrigen Widerstand floss....

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