[Wichtig] INTEL News & informations

[invalid]

Rosige Zukunft für Intel?


Heise weiß Interessantes über Intels Zukunftspläne zu berichten, die Intel-Manager Pat Gelsinger auf einer IT-Konferenz herausgab.

Die nahe Zukunft in Form von Mitte 2006 stellt die komplett neue Architektur abseits von Netburst dar. Für den Notebook-Sektor ist das Merom (Nachfolger des bald anlaufenden Yonah), für den Desktop der Conroe (Nachfolger des Presler) und im Server-Bereich Woodcrest (Nachfolger von Dempsey).

Weiterhin arbeite man bei Intel zur Zeit an 10 verschiedenen CPUs mit mindestens 4 Kernen. Genau Daten dazu gibt es auf offizieller Seite nicht, aber Tom´s Hardware kann zumindest Genaueres vorweisen. So soll bis Mitte 2007 der 4-Kerner "Kentsfield" im 65-nm-Prozess für den Desktop erscheinen. Auf der Server-Seite kommen wohl im selben Zeitraum Whitefield und Tigerton (ebenfalls Quad-Core). Etwas früher soll auch noch der Pentium-D-Nachfolger kommen. Letzterer setzt auf zwei Kerne (abgespeckter Conroe) samt 4 MByte L2-Cache. Vermutlich gesellen sich dazu noch der Allendale mit nur 2 MByte sowie eine Ein-Kern-Variante mit 1 MByte L2-Cache namens Millville. Der Notebook-Sektor bekommt mit dem Merom einen Zwei-Kerner samt 4 MByte L2-Cache sowie einen mit der Hälfte und vielleicht auch eine Single-Core-Version mit lediglich 512 kByte.

Interessantes für die ferne Zukunft: Ab 2009 will Intel mit der EUV-Lithographie bereits 32-nm-CPUs bauen. Heise spricht hier bei Gelingen von mindestens zwei Jahren Technikvorsprung. Für den Kunden bedeutet das voraussichtlich, dass Intel günstig konkurrenzfähige Prozessoren bauen können wird.

 

[invalid]

Intel mit neuen Materialien für das Jahr 2010


Damit das Moore’sche Gesetz auch über das Jahr 2015 hinaus seine Gültigkeit behalten kann, setzt Intel auf die Entwicklung eines Enhancement Mode Transistors, der Indiumantimonid verwendet, um elektrische Ströme im Innern eines Mikroprozessors zu schalten. Diese Transistoren arbeiten mit einer reduzierten elektrischen Spannung von ungefähr 0,5 Volt. Dies ist in etwa die Hälfte dessen, was heutige Mikroprozessoren benötigen.

Wissenschaftler von Intel und QinetiQ haben zusammen einen Enhancement-Mode-Transistor gezeigt, der Indiumantimonid (chemisches Symbol: InSb) verwendet, um elektrische Ströme im Innern eines Mikroprozessors zu schalten. Dieser Prototyp ist viel schneller und verbraucht viel weniger Energie als bisher vorgestellte Transistoren. Intel erwartet, daß dieses neue Material Silizium ergänzt und damit das Moore’sche Gesetz weiter vorantreibt.

Die starke Reduzierung des Energieverbrauchs auf Transistorenebene begleitet durch Leistungssteigerung könnte sehr wichtig werden, um Plattformen mit neuen Funktionen zu erweitern und damit Anwenderbedürfnisse zu erfüllen. Der geringere Energieverbrauch und die geringere Wärementwicklung würde die Akkulaufzeit bei mobilen Geräten stark erhöhen und bietet dann neue vielseitige Möglichkeiten, um kleinere und leistungsstärkere Geräte zu bauen.

„Die Ergebnisse dieser Forschung bekräftigen unsere Zuversicht, dass das Moore’sche Gesetz auch über das Jahr 2015 hinaus seine Gültigkeit behalten kann. Wie bereits mit anderen technischen Entwicklungen von Intel erwarten wir, daß diese neuen Materialien dazu beitragen, daß auch in Zukunft Halbleiter auf Silizium basieren,“ sagte Ken David, Director Components Research für Intels Technology and Manufacturing Group. „Durch das neue Material bekommen wir 50 Prozent mehr Leistung und gleichzeitig können wir den Energieverbrauch um ungefähr das 10-fache senken. Das gibt uns die Möglichkeit, zukünftige Plattformen hinsichtlich Leistung und Energieverbrauch zu optimieren.“

InSb ist ein III-V-Halbleiter und besteht aus Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems. Diese Halbleiter werden heute in vielen eigenständigen und sehr kleinen integrierten Geräten wie Hochfrequenz-Verstärkern, Geräten, die mit Mikrowellen arbeiten und Halbleiter-Lasern verwendet.

Wissenschaftler von Intel und QinetiQ hatten bereits vor kurzem Transistoren mit InSb vorgestellt. Die heute vorgestellten Prototypen sind mit einer Gate Länge von 85nm um mehr als die Hälfte kleiner. Damit sind sie die kleinsten jemals vorgestellten Enhancement-Mode-Transistoren. Enhancement-Mode-Transistoren sind die am weitest verbreiteten Transistoren bei Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen. Diese Transistoren arbeiten mit einer reduzierten elektrischen Spannung von ungefähr 0,5 V. Dies ist in etwa die Hälfte dessen, was heutige Mikroprozessoren verbrauchen.

„Die Zusammenarbeit mit anderen weltweit führenden Unternehmen wie Intel ist ein sehr gutes Beispiel, wie QinetiQ seine Forschung auf Technologien mit kommerziellem Potential richtet,“ sagte Tim Phillips, Business Manager der Fast Transistors Group bei QinetiQ.
Einzelheiten werden auf der IEDM Konferenz vom 5. bis 7. Dezember in Washington D.C. bekannt gegeben. Hierzu wird es eine Veröffentlichung geben mit dem Titel „85nm Gate Length Enhancement and Depletion mode InSb Quantum Well Transistors for Ultra High Speed and Very Low Power Digital Logic Applications.“

 

[Gelöschter Nutzer 211]

Was 2010 kommt, interessiert mich heute nicht. 🙂 ( 😉 )

Jetzt ist erstmal der Yonah angesagt, auf den freue ich mich schon. 😀


Aber trotzdem schön, dass Intel so weit in die Zukunft denkt und entwickelt. 😀

 

[Compiler]

Was 2010 kommt, interessiert mich heute nicht. 🙂 ( 😉 )

Jetzt ist erstmal der Yonah angesagt, auf den freue ich mich schon. 😀


Aber trotzdem schön, dass Intel so weit in die Zukunft denkt und entwickelt. 😀

Ja der Yonah ist unterwegs und alle frueen sich, aber ein solches Unternehmen muss Jahre in die Zukunft blicken, denn die Entwicklung braucht bisschen länger als paar Monate 😉

Wir werden schauen, ich schau mir diesen Thread in 4 Jahren nochmal an *g*

MfG
Compiler