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Das aus Intel und Micron bestehende Jointventure IM Flash hat eine bahnbrechende Flashtechnologie vorgestellt. Dabei handelt es sich um 3-bit-per-cell (kurz 3bpc, zu deutsch: 3 Bits pro Speicherzelle). Die im neusten 34 nm Verfahren hergestellten MLC NAND Speicherbausteine können mit dem neuen (logischen) Verfahren viermal mehr Informationen auf gleichen Raum speichern, als vergleichsweise ein im SLC Verfahren produzierter Speicherbaustein. Im Vergleich zu herkömmlichen MLC-Bausteinen stellt das die doppelt Speichermenge an Informationen dar.
Die Technik basiert auf einem logischen Verfahren, das heißt, dass pro Speicherzelle genauso viele Speicherschaltungen integriert sind, wie bei herkömmlichen SLC Speicher. Der technische Unterschied liegt darin, wie viele Zellen zur Speicherung einer Information genutzt...
Weiterlesen: Intel und Micron stellen neue Flashspeichertechnik vor
Die Technik basiert auf einem logischen Verfahren, das heißt, dass pro Speicherzelle genauso viele Speicherschaltungen integriert sind, wie bei herkömmlichen SLC Speicher. Der technische Unterschied liegt darin, wie viele Zellen zur Speicherung einer Information genutzt...
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