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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) hat heute bekannt gegeben, dass man nun die Serienreife für 3 verschiedene 28nm Prozesse erreicht habe, was laut TSMC Geschwindigskeitsvorteile zwischen 25 und 40% und die Leistungsaufnahme um 30-50% gegenüber dem 45nm Prozess bieten soll.
Dazu zeigte man ein mit 64Mbit SRAM gefülltes Wafer, welches komplett in 28nm und in allen drei Fertigungstechniken herstellbar sein:
High Performance Low Power Low Power mit High K Metal
Die vorgestellte 28nmLP Silikon Oxid (SiON) Technik sei auf Grund der niedrigen Kosten und der hohen Perfomance bei niedriger Leistungsaufnahme ideal für den...
Weiterlesen: TSMC präsentiert den eigenen 28nm Prozess
Dazu zeigte man ein mit 64Mbit SRAM gefülltes Wafer, welches komplett in 28nm und in allen drei Fertigungstechniken herstellbar sein:
High Performance Low Power Low Power mit High K Metal
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