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Samsung ist seit Jahren im Speichersegment tätig und führt nun eine neue Kampagne durch, bei der die neuen DDR3 Chips beworben werden, die im 40 Nanometer Verfahren gefertigt werden. Erst Anfang dieses Jahres gab Konkurrent Hynix bekannt, dass man auf die 40 nm Fertigung umsteigt. Samsung führt nun die Markteinführung durch und setzt dabei verstärkt auf die beiden Fakten 40 nm und 1,35 V dabei. Die Stromersparnis wird auf der speziell dafür eingerichteten Mini-Site am Beispiel von vielen Servern erläutert. Die bisherige JEDEC-Spezifizierung für DDR3 RAM liegt bei 1,5 V, wodurch man mit dem DDR3 RAM von Samsung eine 0,15 V Ersparnis realisiert.
Die DDR3 Speicherriegel von Samsung werden mit 2 GB bestückt und ermöglichen so in normalen Systemen mit Dual-Channel 4 Gb, was marktüblich ist, auch wenn der Trend dank Konkurrenzkampf und Entwicklung zu höheren Kapazität geht....
Weiterlesen: Samsung DDR3 Green Memory in 40 nm
Die DDR3 Speicherriegel von Samsung werden mit 2 GB bestückt und ermöglichen so in normalen Systemen mit Dual-Channel 4 Gb, was marktüblich ist, auch wenn der Trend dank Konkurrenzkampf und Entwicklung zu höheren Kapazität geht....
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