Samsung DDR3 Green Memory in 40 nm Diskussion

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Samsung ist seit Jahren im Speichersegment tätig und führt nun eine neue Kampagne durch, bei der die neuen DDR3 Chips beworben werden, die im 40 Nanometer Verfahren gefertigt werden. Erst Anfang dieses Jahres gab Konkurrent Hynix bekannt, dass man auf die 40 nm Fertigung umsteigt. Samsung führt nun die Markteinführung durch und setzt dabei verstärkt auf die beiden Fakten 40 nm und 1,35 V dabei. Die Stromersparnis wird auf der speziell dafür eingerichteten Mini-Site am Beispiel von vielen Servern erläutert. Die bisherige JEDEC-Spezifizierung für DDR3 RAM liegt bei 1,5 V, wodurch man mit dem DDR3 RAM von Samsung eine 0,15 V Ersparnis realisiert.

Samsung-Green-Memory.jpg


Die DDR3 Speicherriegel von Samsung werden mit 2 GB bestückt und ermöglichen so in normalen Systemen mit Dual-Channel 4 Gb, was marktüblich ist, auch wenn der Trend dank Konkurrenzkampf und Entwicklung zu höheren Kapazität geht....

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Man muß kein Prophet sein um zu wissen, daß diese Rams sehr schnell auf dem Preislevel vergleichbarer Produkte mit höherer Vcore liegen werden.
Schließlich sollen die ja auch verkauft werden.
Da sie in der Herstellung an sich sowieso billiger sind, weil die theoretische Ausbeute aus den Wafern ja entschieden höher ist, wird Samsung sehr schnell bereit sein die Preise auf ein kundenfreundliches Niveau zu senken.

Vorteil dieser Technologie ist, daß entschieden weniger Strom in Wärme gewandelt werden muß.
Endlich werden Heatspreader mal wieder völlig überflüssig. Dies sollte dem Preis auch zu Gute kommen.
 

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