IBM entwickelt eDRAM in 32 nm (SOI) Diskussion

[Postmaster]

Erst kürzlich gab man bei IBM bekannt, dass man einen ersten Prototypen eines neuen eDRAM Chips in 32 nm herstellen konnte. Damit hat man das kleinsten, dichtesten und schnellsten On-Chip Speicher Gerät der nächsten Generation in der Halbleiterindustrie entwickelt. Es basiert wie die meisten auf der Silicon-on-Insulator (kurz SOI, Silizium auf Isolator) Technologie und bietet eine erhöhte Geschwindigkeit, Energieeinsparungen und eine höhere Zuverlässigkeit für den Server Bereich aber auch für den Endkunden.

Vorab sei gesagt, dass das kleine e im eDRAM für embedded steht, zu Deutsch eingebettet. Damit ist RAM gemeint, welcher sich auf einem Chip oder sogar im DIE befindet. Hauptsächlich findet man diese Art des...

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[bolef2k]

IBM ist wirklich top, wenn es um Entwicklung von fortschrittlicher Technologie geht, die pushen sehr hart und kommen mit genialenSachen. Die neue Generation der Prozessoren erwarte ich sehnsüchtig, die Intel udn AMD weit voraus sein sollte und Anfang dieses Jahres produktionsreif sein sollte. Die neuen SOI RAM sind auch schon spannend, eventuell kommt das auch in Cache, oder ist der zu Langsam? Habe ich gerade nicht in Erinnerung...