Der Chiphersteller Hynix stellt einen neuen High End Speicherchip vor. Der neue DDR3-DRAM Chip verfügt über eine Speicherkapazität von 1 GB. Er wird im neuen 40nm Herstellungsprozesses gefertigt, womit er von Intel zertifiziert wird. Mit der Bekanntgabe wurden auch schon Geschwindigkeitsdaten der Öffentlichkeit mitgeteilt. Der 1 GB DDR3 Chip verfügt über eine Geschwindigkeit von 2.133 MBit in der Sekunde. Weiterhin ist der Chip für ein breites Spannungsspektrum vorgesehen, genaue Daten hierzu sind öffentlich noch nicht bekannt.
Durch die Fertigung im 40nm Prozess könnte man die Produktivität um mehr als 50% im Gegensatz zur 50nm Technologie steigern. Verwendet wird eine „drei-dimensionale Transistor-Technologie“, diese soll eine hohe Leistung und einen geringen Stromverbauch bieten. Der neue Speicher soll im Massen-Speicher Markt sowie Grafik-Markt vertrieben werden. Als Verfügbarkeit gibt Hynix das dritte Quartal 2009 an. Preise wurden noch nicht genannt.
Quelle: Eigene
Computer Forum