Toshiba stellt mit seinen neuen Speicherchips einen neuen Geschwindigkeitsrekord auf, ebenso verfügt der Speicher über eine sehr hohe Datenanbindung und eine gute Speicherdichte. Der vorgestellte Chip umfasste eine Kapazität von 16 Mb (128 Megabit) und erreichte eine Lese- und Schreibgeschwindigkeit von 1,6 GB in der Sekunde. Mit einer ausführlichen Vorstellung des Speichers ist während der International Solid-State Circuits Conference 2009 (ISSCC2009) in San Francisco, USA zu rechnen. Genaue Daten über die Markteinführung sowie die Preise sind noch nicht bekannt. Quelle: Eigene
Neuer High End FeRAM von Toshiba
Toshiba Corporation hat eine neue Generation von Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) vorgestellt. FeRAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, welcher die schnellen operativen Merkmale von DRAM mit den Eigenschaften von Flash-Speicher, welcher die Daten bei fehlender Stromversorgung nicht verliert, kombiniert. Bekannt ist diese Technik schon von EEPROMS, jedoch ist dieser dem FeRAM 100.000x in der Geschwindigkeit unterlegen. Die aktuelle, moderne Technik wird seine Anwendungsbereiche in Mobiltelefonen und Verbraucherprodukten wie mobile PCs und SSDs finden.