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Samsung zeigt ersten 12nm-DDR5-DRAM-Chip
Nach Angaben von Samsung ist die weltweit erste 12-Nanometer-Fertigungstechnologie zur Herstellung von 16-Gigabit-DDR5-DRAM eingesetzt worden. Ermöglicht wurde diese Neuerung durch eine Kombination aus fortschrittlicher, mehrschichtiger Extrem-Ultraviolett-Lithographie, einem neuen hochwertigen Material, das die Zellkapazität erhöht, und einer einzigartigen Designtechnik, die wichtige Schaltungseigenschaften verbessert. Das Ergebnis ist die branchenweit höchste Chipdichte, die eine Steigerung der Waferproduktivität um ganze 20% ermöglicht.
12nm-DDR5-DRAM-Chip (Bild © Samsung)
Es wird erwartet, dass der neue DDR5-DRAM aufgrund seiner bemerkenswerten Leistung und Stromersparnis in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt wird und die Produktbewertung für AMD-Kompatibilität besteht. Die neuen DDR5-Speicherchips sind speziell mit den 'Zen'-Plattformen von AMD getestet und darauf optimiert worden.
Zwei 30-Gigabyte-UHD-Filme können mit einer Geschwindigkeit von bis zu 7,2 Gigabit pro Sekunde verarbeitet werden, was nur eine Sekunde dauert. Der neue Speicher gilt als wegweisend, da er bis zu 23% weniger Strom verbraucht als frühere DRAMs.
Durch den Einsatz dieser hochmodernen Prozesstechnologie will Samsung seine DRAM-Produktpalette auf eine Reihe von Marktkategorien ausweiten und 2023 mit der Massenproduktion von DRAM der 12-nm-Klasse beginnen.
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