SK hynix Stapelt SSD-Chips höher: 400-Layer-NAND-Flash-Speicher und Massenproduktion bis 2025 angestrebt

Um den Meilenstein von 400 Schichten zu erreichen, plant das Unternehmen den Einsatz der Hybrid-Bonding-Technologie. Diese Methode beinhaltet die Integration neuer Package-Materialien und Komponenten sowie die Zusammenarbeit mit verschiedenen Zulieferern. Der Entwicklungsprozess konzentriert sich auf neue Bindematerialien und Technologien zur Verbindung verschiedener Wafer, einschließlich Polieren, Ätzen, Abscheidung und Verdrahtung. SK hynix will diese Technologie und die notwendige Infrastruktur bis Ende nächsten Jahres bereitstellen.

Im August 2023 stellte SK hynix ein NAND-Muster mit 321 Layern vor. Um das 400-Layer-Ziel zu erreichen, plant das Unternehmen einen hybriden Bonding-Ansatz mit einer „Wafer-to-Wafer“-Struktur (W2W). Dieser Ansatz ist eine Abkehr von der derzeitigen „Peripheral Under Cell“-Methode (PUC), bei der die Zellen auf dem peripheren Bereich der Treiberschaltung gestapelt werden.

Die Umstellung auf das Hybrid-Bonding zielt darauf ab, die Herausforderungen zu bewältigen, die mit einer höheren Layrnzahl verbunden sind, wie z. B. die mögliche Beschädigung der peripheren Komponenten durch die hohe Hitze und den Druck während des Zellstapelungsprozesses. Durch die Herstellung von Zellen und Peripheriegeräten auf separaten Wafern und das anschließende Bonden hofft SK hynix, die Anzahl der Schichten stabil erhöhen und gleichzeitig die Peripheriekomponenten schützen zu können.