Durch die Back-side Illumination (BSI) Technik, die bisher nur in der Astronomie oder ähnlichem eingesetzt wurde, wird die Lichtausbeute um bis zu 40% gesteigert. Bei bisherigen CMOS Sensoren lagen über der lichtempfindlichen Siliziumschicht die Elektroden und Verkabelungen und verdeckten so Teile der Siliziumschicht. In der BSI Technik wird die Siliziumschicht von hinten angestrahlt, so kann auch die komplette Schicht genutzt werden, die Verkabelung liegt hinter dem eigentlichen Sensor. Toshiba hat jetzt ein 14,6 MP Modell mit BSI-Technik entwickelt, das zur Verwendung in Digital-Kameras und Handys geeignet ist. Erste Testversionen werden noch im Dezember 2009 ausgeliefert, die Massenproduktion wird voraussichtlich im dritten Quartal 2010 anlaufen.

Quelle: Toshiba