MRAM steht für Magnetoresistance Random Access Memory, also Magnetwiderstands-Arbeitsspeicher. Eine Technik, die magnetisierte Teilchen nutzt, um Daten abzuspeichern, und somit auch ohne Stromversorgung die Daten nicht vergisst. Da also folglich auch nur die Bits mit Strom versorgt werden müssen, die gerade geändert wurde, soll MRAM deutlich sparmsamer sein als herkömmlicher Arbeitsspeicher und ist damit für mobile Geräte nahezu wie geschaffen. Vielleicht steht MRAM dann schon bald für Mobile RAM, auch wenn dies nicht ganz den Gegebenheiten entspricht.   Die Forschungsarbeit an dieser Technologie läuft schon mehrere Jahre, aber soll nun durch ein gemeinsames Forschungsteam von Toshiba und Hynix deutlich schneller vorangetrieben werden, als bisher. Gleichzeitig gab Kiyoshi Kobayashi, Corporate Senior Vice President der Toshiba Corporation bekannt, dass man die Integration der MRAM Technik in NAND Flash und herkömmliche Festplattentechnik anstrebe, um die allgemeine Datenkonsistenz weiter zu verbessern und den Strombedarf kommender Gerätegenerationen merklich zu senken.   Zwar wird es wohl noch einige Jahre dauern, bis erste Geräte erhältlich sein werden, rein technisch gesehen handelt es sich hier aber um einen sehr spannenden Ansatz, der auf jeden Fall weiter verfolgt werden sollte.   Quelle: TechConnect Magazine