Samsung Flashbolt mit 16 GB HBM2E Chips mit höherer Leistung

Die Kapazität von 16 GB wird durch Stapeln von acht Lagen von 16-Gigabit-DRAM-Chips der 10-nm-Klasse (1y) auf einem Pufferchip erreicht. Dieses HBM2E-Gehäuse wird dann in einer präzisen Anordnung von mehr als 40.000 'Through Silicon Via'-Mikrobumps (TSV) miteinander verbunden, wobei jeder 16-Gb-Die über 5.600 dieser mikroskopisch kleinen Löcher enthält.

Auch die Datenraten von 3,2 Gigabit pro Sekunde (Gbps) sprechen für Flashbolt. Dabei wird eine Speicherbandbreite von 410 GB/s pro Stack erreicht. Laut Samsung kann der HBM2E Übertragungsgeschwindigkeiten von 4,2 Gbps erreichen. Die maximal mögliche Bandbreite soll bei 538 GB/s pro Stack betragen. Im Vergleich dazu, hatte Aquabolt „nur“ 307 GB/s von pro Stack.

Die Serienproduktion soll laut Samsung bereits in der ersten Hälfte dieses Jahres anlaufen. Aquabolt-Produktreihe wird weiterhin vertrieben und mit Flashbolt koexistieren. Samsung sieht den Einsatzzweck des Speichers bei Hochleistungs-Computersystemen (HPC) und Supercomputer sowie hochmoderne Grafiksysteme. Bei Grafikkarten hat sich der Speicher bisher nicht durchgesetzt, zumal AMD wieder zu GDDR5 und GDDR6 gewechselt ist.